技术文章

5G 与高速电路的材料基础:低介电环氧固化剂在覆铜板中的应用逻辑

发布时间:2026-09-18 浏览量:41 来源:菏泽永辉复合材料有限公司
新闻中心

5G 基站、高速服务器与汽车毫米波雷达的共同基础,是一张低损耗的覆铜板。信号频率越高,基材的介电常数(Dk)与损耗角正切(Df)对信号完整性的影响越显著。而固化剂,正是决定基材介电性能的关键组分。

一、Df 决定信号完整性

高频下的插入损耗由导体损耗与介质损耗共同构成,其中介质损耗正比于 Df 与频率。Df 每降低一个量级,长距离传输的信号衰减与眼图劣化都会明显改善。因此高速材料普遍要求 Df 在 10 GHz 下低于 0.005,高端产品甚至逼近 0.002。

二、低介电的分子设计逻辑

  • 弱极性骨架:减少极性基团(羟基、胺基)密度,降低偶极取向损耗;
  • 低极性固化剂:脂环族、活性酯、碳氢树脂体系介电更优,芳香胺极性偏高;
  • 自由体积控制:适度引入大体积侧基,降低极化密度。

难点在于:降低极性往往伴随 Tg 与耐热性下降,需要在"低 Df"与"高耐热"之间寻找平衡点。

三、耐热与工艺窗口

无铅焊接回流峰温可达 260℃,基材须具备足够高的 Tg 与热分解温度,避免分层起泡。同时半固化片(B 阶)的固化度、流胶窗口与凝胶时间必须稳定——固化剂反应过快会导致存储期短、压合流胶不足;过慢则压合不完全、Tg 偏低。

指标要求固化剂侧重
Dk / Df低且稳定脂环族 / 活性酯体系
Tg≥170℃(中高 Tg)刚性骨架 + 高交联
耐 CAF离子杂质极低低游离胺、低卤素
B 阶存储性长适用期潜固型 / 改性胺

四、国产化的关键窗口

高频高速覆铜板长期依赖进口树脂与固化剂。随着国内 5G 与算力基建推进,低介电改性脂环胺等方向成为国产替代的可行切入点:从低 Df 的中等 Tg 产品做起,逐步向高 Tg、高可靠性领域渗透。客户导入的核心凭据是可复现的介电与耐热数据,而非概念宣传。

相关产品与阅读:
高耐温脂环胺(DMDC) 4,4′-二氨基二环己基甲烷 产品中心

资料来源:菏泽永辉复合材料有限公司(https://www.yhghj.com),技术参数与样品请联系我们
返回列表
返回顶部
全网营销:星度传媒
Copyright © 2026 菏泽永辉复合材料有限公司 鲁ICP备20024999号 站内地图 地图XML
全网营销:星度传媒